2011

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Глазырин Е.В., Казаков И.П., Червяков А.В. Спектроскопия фотоотражения электронно-дырочных состояний квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs переменной ширины. ФТП, том 45 (3), стр. 330-334, 2011

2010

Avakyants L., Bokov P.Yu., Chervyakov A., Yunovich A., Vasileva E., Yavich B. Piezoelectric field compensation in the InGaN quantum wells of GaN/InGaN/AlGaN LEDs structures: electroreflectance experiment. Physica Status Solidi C 7(7-8), p. 1863-1865 (2010)

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В., Чуяс А.В., Юнович А.Э., Васильева Е.Д., Бауман Д.А., Уелин В.В., Явич Б.С. Интерференционные эффекты в спектрах электроотражения и электролюминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN. ФТП 44(8), стр. 1124-1129 (2010)

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Бугаков И.В., Колмакова Т.П., Червяков А.В. Исследование δ-легированных n-i-p-i-n структур GaAs методом спектроскопии фотоотражения. Журнал Радиоэлектроники (ИРЭ РАН), № 1, 2010

Авакянц Л.П., Колмакова Т.П. Диагностика концентрации свободных носителей эпитаксиальных пленок n-InxGa1-xAs методом комбинационного рассеяния света. Журнал Радиоэлектроники (ИРЭ РАН), № 2, 2010

2009

Avakyants L.P., Bokov P.Yu., Chervyakov A.V., Chuyas A.V., Yunovich A.E., Vasileva E., Yavich B.S. Electroreflectance diagnostics of InGaN/GaN/AlGaN based LEDs structures. Phys. Status Solidi C V.6 No. 12, p. 2852 – 2854 (2009)

2008

Avakyants L.P., Badgutdinov M.L., Bokov P.Yu., Chervyakov A.V., Shirokov S.S., Yunovich A.E., Vasileva E., Snegov F., Bauman D., Yavich B.S. A role of built-in piezoelectric field in InGaN/GaN/AlGaN multiply quantum wells in the electroreflectance experiments. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 1040E, paper 1040-Q7-10

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Григорьев А.Т., Червяков А.В. Исследование методом фотоотражения полуизолирующих подложек GaAs, обработанных плазменным травлением. Известия РАН, серия физическая, том 72, стр.995-998, 2008

2007

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Митин И.В., Китов И.А., Салецкий А.М., Червяков А.В. Автоматизированная система для общего физического практикума. Физическое образование в ВУЗах, 13(3), 110, 2007

Авакянц Л.П., Бадгутдинов М.Л., Боков П.Ю., Червяков А.В., Широков С.С., Юнович А.Э., Богданов А.А., Васильева Е.Д., Николаев Д.А., Феопентов А.В. Спектры электроотражения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/GaN/AlGaN. ФТП том 41 № 9 стр. 1078-1084, 2007

Yunivich A.E., Avakyants L., Badgutdinov M., Bokov P. Chervyakov A., Shirokov S., Vasileva E., Feopentov A., Snegov S., Bauman D., Yavich B. Electroreflectance Spectra of InGaN/GaN/AlGaN p-n Heterostructures. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 955, p. 0955-I15-36, 2007

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Волчков Н.А., Казаков И.П., Червяков А.В. Определение концентрации носителей в легированных слоях n-GaAs методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотоотражения. Оптика и спектроскопия, том 102, №5, стр. 789-793, 2007

2006

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Червяков А.В. Исследование процесса активации ионно-имплантированного марганца в GaAs методами комбинационного рассеяния и фотоотражения. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2006, №7, стр. 91 – 94

Avakyants L.P., Bokov P.Yu., Chervyakov A.V., Galiev G.B., Klimov E.A., Vasil’evskii I.S., Kul’bachnskii V.A. Interband optical transitions in GaAs modulation-doped quantum wells: photoreflectance experiment and self-consistent calculations. Semicond. Scie. Technol. Vol. 20, p. 462 – 466, 2006

2005

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В. Автоматизированная установка для регистрации спектров фотоотражения полупроводниковых структур с использованием двойного монохроматора. ЖТФ, том 75(10), стр. 66-68, 2005

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Червяков А.В. Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия. ФТП, том 39, №2, стр. 189-191, 2005

2004

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Колмакова Т.П., Червяков А.В. Исследование разрыва зон на гетеропереходе напряженных короткопериодных сверхрешеток GaAs/GaAsP методом спектроскопии фотоотражения. ФТП, том 38, № 12, стр. 1429-1434

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Григорьев А.Т., Червяков А.В. Комбинационное рассеяние света как метод неразрушающего контроля поверхности GaAs (100) обработанной плазменным травлением. Известия РАН, серия физическая, том 68, №3, стр. 451-452, 2004

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Колмакова Т.П., Червяков А.В. Исследование встроенного электрического поля в напряженных сверхрешетках GaAs/GaAsP методом спектроскопии фотоотражения. Вестн. Моск. Ун-та. Серия 3. Физика. Астрономия, том 1, стр. 45-47 , 2004

2003

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Кульбачинский В.А., Мокеров В.Г.,Червяков А.В. Исследование электронных переходов в связанных квантовых ямах со встроенным электрическим полем методом спектроскопии фототражения. ФТП, том 37, вып. 1, стр. 77-82, 2003

Avakyants L.P., Bokov P.Yu., Chervyakov A.V., Galiev G.B., Klimov E.A., Vasil’evskij I.S. Room temperature photoreflectance investigation of undoped and doped GaAs/AlGaAs quantum well structures. Proc. SPIE Vol. 5401, p. 605-612, Micro- and Nanoelectronics 2003

2002

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Казаков И.П., Червяков А.В. Размерное квантование в гетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs по данным спектроскопии фотоотражения. Вестник МГУ, сер.3, физика, астрономия, т.32, № 4, стр.48-50, 2002

Бузник В.М., Горелик В.С., Свербиль П.П., Цветников А.К., Червяков А.В. Комбинационное рассеяние света в зигзагообразных фторполимерных молекулах. ФТТ, том 44, вып.12, стр. 2224-2228, 2002

Chervyakov A.V., Gorelik V.S. , Karuzskii A.L. , Sverbil P.P. Laser-excited volume secondary radiation in wide-gap semiconductors and dielectrics. Journal of Russian Laser Research, vol. 23, N 5, p. 459-483, 2002

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Галиев Г.Б., Каминский В.Э., Кульбачинский В.А.,Мокеров В.Г.Червяков А.В. Исследование эффектов размерного квантования в связанных квантовых ямах AlxGa1-xAs/GaAs/ AlxGa1-xAs методом спектроскопии фотоотражения. Оптика и спектроскопия, том 93, вып. 6 стр. 929-934, 2002

Винценц С.В., Зайцев В.Б., Зотеев А.В., Плотников Г.С., Родионов А.И., Червяков А.В. Низкопороговое дефектообразование и модификация поверхностных слоев германия при упругих и упруго-пластических воздействиях импульсного лазерного луча. Физика и техника полупроводников, том 36, вып. 8, стр. 947-952, 2002

2001

Большагина А.З., Салецкий А.М., Червяков А.В. Исследование структуры водных растворов ионных макромолекул методом низкочастотной КР-спектроскопии. Оптика и спектроскопия, том 90, N 2, стр. 282-286, 2001

Егорышева А.В., Бурков В.И., Горелик В.С., Каргин Ю.Ф., Червяков А.В. Комбинационное рассеяние света в кристаллах со структурой силленита. Кристаллография, том 46, N 3, стр. 511-518, 2001

2000

Авакянц Л.П., Горелик В.С., Злобина Л.И., Шартс О.Н., Червяков А.В. Комбинационное рассеяние света в полярных фторорганических соединениях типа CnF2n+1Br . Известия Академии Наук, серия физическая, том 64, N 6, стр. 1189-1193, 2000

Авакянц Л.П., Горелик В.С., Червяков А.В. Комбинационное рассеяние и отражение света в сегнетоэлектрическом кристалле титанате свинца. Известия Академии Наук, серия физическая, том 64, N 6, стр. 1173-1176, 2000

Chervyakov A.V., Gorelik V.S., Kol'tsova L.V., Veryaskin S.S. Raman spectra of saturated hydrocarbons and gasolines. Journal of Russian Laser Research, vol. 21, N 4, p. 323-334, 2000

1999

Авакянц Л.П., Горелик В.С., Коршунов А.Б., Темпер Э.М., Червяков А.В. Исследование компенсации проводимости n-GaAs при имплантации ионами B+ методом фотоотражения. Краткие сообщения по физике ФИАН , вып.2, стр. 17-21, 1999

Авакянц Л.П., Горелик В.С.,Темпер Э.М.,Щербина С.М Комбинационное рассеяние света в приповерхностном слое n-GaAs при имплантации ионов бора. ФТТ том 41 № 9, стр. 1495 - 1498, 1999

1997

Авакянц Л.П., Горелик В.С., Курова И.А., Червяков А.В. Упорядочение структуры гидрогенизированных пленок кремния под влиянием непрерывного лазерного облучения. ФТТ, том 39, № 12, 2152-2155, 1997

1993

Авакянц Л.П., Горелик В.С., Китов И.А.,Червяков А.В. Комбинационное рассеяние света в арсениде галлия, ионно-легированном кремнием. ФТТ, том 35, №5, стр. 1354-1362, 1993

Авакянц Л.П., Велиюлин Э.И., Мамедов А.А., Червяков А.В. Изучение зависимости энергии перехода Е1+*1 от состава Hg1-xMnxTe методом фотоотражения. Вестник МГУ, сер.3, физика, астрономия, том 33, №4, стр.86-87, 1993